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氮掺铟锡锌薄膜晶体管的制备及其光电特性
氮掺铟锡锌薄膜晶体管的制备及其光电特性
作者:
吕英波
宋淑梅
李治玥
杨波波
杨田林
王昆仑
赵继凤
辛艳青
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
氧化铟锡锌薄膜晶体管
射频磁控溅射
氮掺杂
界面态密度
摘要:
以P型<100>硅作为衬底,采用射频磁控溅射技术,在室温下制备了氮掺杂氧化铟锡锌薄膜晶体管(ITZO TFTs),研究了氮气流量对氧化铟锡锌薄膜晶体管结构、光学、电学特性以及稳定性的影响.实验结果表明:在不同氮气流量条件下制备的氧化铟锡锌薄膜均为非晶态,在可见光范围内的平均透过率均在90%左右,光学带隙数值在3.28~3.32 eV之间变化.在氮气流量为4 mL/min时制备的ITZO TFTs,有源层与栅极电介质界面处的界面态密度(Nmaxs)仅为4.3×1011 cm-2,场效应迁移率(μFE)为18.72 cm2/(V?s),开关比(Ion/of)为106,亚阈值摆幅(S)为0.39 V/dec,电学性能最优.栅极正偏压应力测试结果表明,该器件具有最强的稳定性.因此,适量的氮掺杂可有效地实现器件氧空位的钝化,降低器件的界面态密度,提高ITZO TFTs的电学性能及稳定性.
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输运特性
磁控溅射沉积
半导体薄膜晶体管的节能设计方法研究
半导体
薄膜晶体管
节能
电源回路
多晶硅薄膜晶体管kink效应的建模
多晶硅薄膜晶体管
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文献信息
篇名
氮掺铟锡锌薄膜晶体管的制备及其光电特性
来源期刊
发光学报
学科
工学
关键词
氧化铟锡锌薄膜晶体管
射频磁控溅射
氮掺杂
界面态密度
年,卷(期)
2017,(12)
所属期刊栏目
器件制备及器件物理
研究方向
页码范围
1622-1628
页数
7页
分类号
TN321+.5
字数
4157字
语种
中文
DOI
10.3788/fgxb20173812.1622
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
宋淑梅
山东大学空间科学与物理学院
15
40
4.0
6.0
2
吕英波
山东大学空间科学与物理学院
12
51
3.0
7.0
3
王昆仑
山东大学空间科学与物理学院
7
7
2.0
2.0
4
赵继凤
山东大学空间科学与物理学院
3
6
2.0
2.0
5
杨波波
山东大学空间科学与物理学院
2
2
1.0
1.0
6
辛艳青
山东大学空间科学与物理学院
10
32
4.0
5.0
7
李治玥
山东大学空间科学与物理学院
4
4
1.0
1.0
8
杨田林
1
2
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节点文献
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射频磁控溅射
氮掺杂
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研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
发光学报
主办单位:
中国物理学会发光分会
中科院长春光机所
出版周期:
月刊
ISSN:
1000-7032
CN:
22-1116/O4
开本:
大16开
出版地:
长春市东南湖大路16号
邮发代号:
12-312
创刊时间:
1970
语种:
chi
出版文献量(篇)
4336
总下载数(次)
7
总被引数(次)
29396
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:
the National Natural Science Foundation of China
官方网址:
http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:
青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:
数理科学
期刊文献
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