金刚石半导体材料和器件的研究现状

• 作者: 刘瑞 张烨 李玲 杨霏 王占国 王嘉铭 郁万成 金鹏 陈亚男 龚猛
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 金刚石 迁移率 微波等离子体化学气相沉积(MPCVD) 掺杂 器件
• 年，卷（期）: 2017,（4）
• 所属期刊栏目: 技术论坛
• 页码范围: 217-228
• 页数: 12页
• 分类号: TN304.18
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2017.04.001

摘要

简述了金刚石半导体材料的主要制备方法,以及掺杂技术及其在器件制备中应用的研究现状.重点介绍了微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法制备高质量金刚石的优势以及在生长速率、晶体尺寸和晶体质量等方面的研究进展及阻碍因素,并探讨了实现金刚石大尺寸高质量生长的方法.通过对金刚石进行掺杂,可使其呈现p型和n型导电.总结了金刚石p型、n型掺杂及共掺杂的研究现状,并分析了金刚石在掺杂过程中出现的问题,探讨了p型掺杂和n型掺杂的研究方向.最后给出了金刚石在电力电子器件、探测器和场发射器件中的应用现状,并对金刚石的未来发展方向作出了展望.