重离子注入GaAs辐照损伤研究

• 作者: 孙梦利 彭海波 彭金鑫 杨迪 王铁山 郭红霞
• 来源期刊: 现代应用物理
• 学科: 工学
• 关键词: GaAs 拉曼光谱 辐照效应 晶体结构
• 年，卷（期）: 2017,（1）
• 所属期刊栏目: 辐射效应及加固技术
• 页码范围: 56-60
• 页数: 5页
• 分类号: TL99
• 字数: 3282字
• 语种: 中文
• DOI: 10.12061/j.issn.2095-6223.2017.010602

摘要

利用4.5 MeV的氪离子(Kr17+)辐照(100)晶向本征未掺杂和高掺锌(P型)、(100)和(110)混合晶向的高掺硅(N型)砷化镓(GaAs)半导体材料,辐照注量为1×10.12~3×10.14 cm-2,测试辐照后材料的拉曼光谱.随着辐照注量增大,材料的纵向光学 (longitudinal optical,LO)声子峰向低频方向移动,出现了明显的非对称展宽,并且N型样品辐照后,晶体结构损伤要大于P型与本征未掺杂样品.3种类型样品的LO峰频移随辐照损伤的变化趋势一致,研究表明,掺杂元素不影响材料本身的晶体结构,可能是因为混合晶向的生长方式导致辐照后N型GaAs结构稳定性变差.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭红霞		81	385	10.0	13.0
2	王铁山	兰州大学核科学与技术学院	22	58	4.0	6.0
3	杨迪	兰州大学核科学与技术学院	4	11	2.0	3.0
4	彭金鑫	兰州大学核科学与技术学院	2	1	1.0	1.0
5	孙梦利	兰州大学核科学与技术学院	3	2	1.0	1.0
6	彭海波	兰州大学核科学与技术学院	10	18	2.0	3.0