高压下Al0.86 Ga0.14N半导体合金 "双模"拉曼声子行为研究

• 作者: 冯雷豪 张雷雷 戚磊 胡启威 蒲梅芳 雷力
• 来源期刊: 高压物理学报
• 关键词: 氮化铝镓 半导体合金 高压 拉曼散射 '双模'行为 负压力
• 年，卷（期）: 2017,（5）
• 页码范围: 521-528
• 页数: 8页
• 分类号: O521.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.11858/gywlxb.2017.05.003

摘要

氮化铝镓(Alx Ga1-x N)合金是重要的半导体材料,在发光二极管和紫外探测器等领域都有广阔的应用前景.对高铝成分Alx Ga1-x N合金的高压行为研究还较为稀少.利用原位拉曼光谱对高铝成分的Alx Ga1-x N合金与本征的GaN和AlN进行了对比研究.结果表明,Al原子掺杂引起GaN亚晶格的收缩效应与对本征GaN施加外部正压力的作用效果等效,引起AlN亚晶格的拉伸效应与对本征AlN施加外部负压力的作用效果相似.Al原子掺杂引起Al0.86 Ga0.14 N晶格的收缩效应在晶胞c轴方向上更显著.研究还发现,Al原子掺杂对类AlN拉曼声子振动模高压行为的影响比类GaN更明显.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	雷力		14	65	5.0	8.0
2	胡启威		6	2	1.0	1.0
3	戚磊		4	0	0.0	0.0
4	冯雷豪		2	0	0.0	0.0
5	蒲梅芳		3	0	0.0	0.0
6	张雷雷		1	0	0.0	0.0