残余应力对SrRuO3薄膜磁学及电输运性能的影响

• 作者: 丁国际 朱明康 王根水 董显林 陈莹
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 工学
• 关键词: 钌酸锶 取向 残余应力 磁学性能 电输运特性
• 年，卷（期）: 2017,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 75-80
• 页数: 6页
• 分类号: TQ174
• 字数: 3554字
• 语种: 中文
• DOI: 10.15541/jim20160190

摘要

采用射频磁控溅射法在单晶SrTiO3 (STO)衬底和硅(Si)衬底上制备出不同取向的SrRuO3 (SRO)薄膜,对薄膜的残余应力进行了分析,并研究了应力对不同取向SRO薄膜磁学性能与电输运特性的影响.根据X射线衍射(XRD)结果分析可知,Si基SRO薄膜为多晶单轴取向薄膜,且应力来源主要为热失配拉应力;STO基SRO薄膜为外延薄膜,其应力主要为热失配压应力和外延压应力;磁学性能测试表明,(001)取向SRO薄膜比(110)取向薄膜拥有更高的居里温度TC;压应力提高了(001)取向SRO薄膜的TC,却降低了(110)取向薄膜的TC.电阻性能测试表明,对于在同种类型衬底上沉积的SRO薄膜,(001)取向的薄膜的剩余表面电阻比(RRR)高于(110)取向的薄膜.另外,拉应力引起了薄膜微结构的无序度增加,弱化了表面电阻率的温度依赖性,提高了金属绝缘体转变温度(TMI).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	丁国际	上海大学环境与化学工程学院	41	297	9.0	15.0
2	王根水	中国科学院上海硅酸盐研究所	19	107	6.0	9.0
3	董显林	中国科学院上海硅酸盐研究所	26	211	9.0	14.0
4	陈莹	中国科学院上海硅酸盐研究所	17	120	6.0	10.0
5	朱明康	上海大学环境与化学工程学院	1	0	0.0	0.0