衬底温度对PVT法生长AlN晶体自发形核的影响

• 作者: 史月增 张丽 徐永宽 程红娟 金雷 齐海涛
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 物理学
• 关键词: 物理气相传输(PVT) 复合型衬底 驱动力 AlN晶体 形核
• 年，卷（期）: 2017,（4）
• 所属期刊栏目: 加工、测量与设备
• 页码范围: 285-290
• 页数: 6页
• 分类号: O782.9
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2017.04.011

摘要

通过热力学理论对物理气相传输(PVT)法AlN晶体生长过饱和度进行分析,分别从软件模拟和晶体生长实验对衬底表面的温度分布进行调控,进而控制衬底表面AlN晶体生长的驱动力.理论上,采用Comsol模拟软件对坩埚结构的温度分布进行模拟仿真,模拟结果表明:复合型衬底可以显著改变衬底表面的温度分布,达到改变衬底表面AlN气氛的过饱和度的目的;实验上,采用PVT法AlN晶体的生长实验验证了软件模拟结果.采用复合型衬底生长AlN晶体时,通过对衬底表面的温度分布调控可有效控制晶体生长驱动力,进而实现形核位置和形核数量的控制.经过6～8 h AlN晶体生长后,可获得尺寸约为12 mm、厚度约为3 mm的AlN单晶.喇曼光谱和XRD双晶摇摆曲线测试结果表明晶体质量良好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	程红娟	中国电子科技集团公司第四十六研究所	44	47	4.0	5.0
2	张丽	中国电子科技集团公司第四十六研究所	19	44	3.0	5.0
3	齐海涛	中国电子科技集团公司第四十六研究所	20	30	3.0	4.0
4	徐永宽	中国电子科技集团公司第四十六研究所	28	57	4.0	6.0
5	史月增	中国电子科技集团公司第四十六研究所	11	16	3.0	3.0
6	金雷	中国电子科技集团公司第四十六研究所	13	13	2.0	2.0