体硅90 nm SRAM重离子单粒子多位翻转实验和数值模拟

• 作者: 丁李利 张凤祁 罗尹虹 郭红霞 陈伟
• 来源期刊: 现代应用物理
• 学科: 工学
• 关键词: 90nmSRAM 单粒子多位翻转 阱电势扰动 寄生双极放大
• 年，卷（期）: 2017,（1）
• 所属期刊栏目: 辐射效应及加固技术
• 页码范围: 48-55
• 页数: 8页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 6046字
• 语种: 中文
• DOI: 10.12061/j.issn.2095-6223.2017.010601

摘要

建立了单粒子多位翻转的测试方法和数据处理方法,在此基础上开展了体硅90 nm SRAM重离子单粒子多位翻转的实验研究.通过分析单粒子多位翻转百分比、均值、尺寸等参数随线性能量转移(linear energy transfer,LET) 的变化关系,表明了纳米尺度下器件单粒子多位翻转的严重性,指出了单粒子多位翻转对现有重离子单粒子效应实验方法和预估方法带来的影响.构建了包含多个存储单元的全三维器件模型,数值模拟研究了不同阱接触布放位置对单粒子多位翻转电荷收集的影响机制,表明阱电势扰动触发多单元双极放大机制是导致单粒子多位翻转的主要因素,减小阱接触与存储单元之间的距离是降低单粒子多位翻转的有效方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	罗尹虹		54	199	8.0	10.0
2	郭红霞		81	385	10.0	13.0
3	丁李利		12	26	3.0	4.0
4	张凤祁		3	10	2.0	3.0
5	陈伟		1	5	1.0	1.0