用于物联网IoT的802.11bgn频段低噪声放大器

• 作者: 陈磊 马和良
• 来源期刊: 集成电路应用
• 学科: 工学
• 关键词: 低噪声放大器 射频集成电路 SiGe BiCMOS工艺
• 年，卷（期）: 2017,（5）
• 所属期刊栏目: 研究与设计
• 页码范围: 37-39
• 页数: 3页
• 分类号: TN431.1
• 字数: 1851字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19339/j.issn.1674-2583.2017.05.010

摘要

针对物联网IoT的小面积低噪声的需求,相对传统共源共栅结构的低噪声放大器,提出了一种新型低噪声放大器.核心电路没有采用传统的源级电感负反馈的共源共栅结构,通过去除片上电感的方法,节省了77％的芯片面积.芯片采用IBM 0.18 μ m SiGe BiCMOS工艺设计制造.测试表明,电源电压在2.5 V情况下,在2.4 GHz处能够提供20 dB的前向增益,噪声系数为1.8dB,输入和输出匹配都小于-16 dB,1 dB压缩点为-15 dBm,消耗电流为3.6 mA,而芯片面积仅为0.45 mm×0.5 mm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈磊		7	17	2.0	4.0
2	马和良		2	0	0.0	0.0