ALE法对InSb／GaAs异质薄膜电学性能的改进

• 作者: 刘铭 周朋 尚林涛 沈宝玉 邢伟荣
• 来源期刊: 激光与红外
• 学科: 工学
• 关键词: 分子束外延 原子层外延 本征 InSb GaAs
• 年，卷（期）: 2017,（1）
• 所属期刊栏目: 红外材料与器件
• 页码范围: 67-71
• 页数: 5页
• 分类号: TN213
• 字数: 3270字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5078.2017.01.013

摘要

以GaAs（100）为衬底，采用原子层外延（ALE）的方法在GaAs缓冲层和常规InSb外延层间引入85个周期约30 nm的InSb低温缓冲层，以快速降低InSb和GaAs界面间较大的晶格失配（14．6％）对外延层质量造成的不利影响，从而改进异质外延薄膜的电学性能。实验结果显示，ALE低温缓冲层能较快地释放晶格失配应力，降低位错密度。室温和77 K的Hall测试显示，引入低温ALE缓冲层生长的InSb／GaAs异质外延薄膜，其InSb外延层本征载流子浓度和迁移率等电学性能较常规的方法有着较大的改进。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘铭		41	93	5.0	8.0
2	尚林涛		12	32	3.0	5.0
3	周朋		21	20	2.0	3.0
4	邢伟荣		18	43	4.0	6.0
5	沈宝玉		7	15	2.0	3.0