铸锭法中籽晶、成核点及坩埚底部设置方法专利技术综述

• 作者: 游巧
• 来源期刊: 中国材料进展
• 学科: 工学
• 关键词: 铸锭法 硅 晶体 成核 籽晶 坩埚
• 年，卷（期）: 2017,（4）
• 所属期刊栏目: 综合评述
• 页码范围: 312-317
• 页数: 6页
• 分类号: TM914.4
• 字数: 6854字
• 语种: 中文
• DOI: 10.7502/j.issn.1674-3962.2017.04.10

摘要

近年来,随着太阳能电池技术在中国的迅猛发展,晶体硅制造技术也逐渐发展起来.铸锭法作为晶体硅的主要制备方法之一,其发展方向受到了国内外的普遍关注.本文在调研大量国内外相关专利技术的基础上,综述了近几十年来国内外研究机构在铸锭法制备晶体硅方面所采用的技术手段,主要归类为以下三个方面:籽晶、成核点和坩埚底部设置.通过对比国内外技术以及分析国内重要申请人的专利申请,寻找国内外技术差距和国内技术演进方向,在如何调节晶粒生长速度、降低晶体的缺陷密度、提高晶体质量以适应太阳能电池的制造等亟需解决的技术问题方面提出一些方案.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	游巧		3	0	0.0	0.0