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摘要:
针对传统去离子水和高纯氮气组合的两相流清洗方法对CMOS图像传感器上颗粒污染物清洗良率不足的问题,采用了一种喷嘴式超临界二氧化碳(SSCO2)清洗的方法来清洗CMOS图像传感器.相比传统的水气两相流清洗方法,本方法利用了SSCO2的表面张力小、溶解度高和扩散能力强等优点.实验结果显示,喷嘴式超SSCO2清洗方法对CMOS图像传感器的像素点表面以及像素点之间直径大于300 nm的颗粒污染物可以进行有效清除,相对于传统的两相流清洗方法其清洗效果有明显的提高.该实验表明这种清洗方式在CMOS图像传感器清洗方面具有良好的应用前景.
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文献信息
篇名 超临界CO2清洗技术在CMOS图像传感器中的应用
来源期刊 微纳电子技术 学科 工学
关键词 清洗 超临界二氧化碳(SSCO2) CMOS图像传感器 两相流 颗粒污染物
年,卷(期) 2017,(4) 所属期刊栏目 加工、测量与设备
研究方向 页码范围 273-278,290
页数 7页 分类号 TN305.97
字数 语种 中文
DOI 10.13250/j.cnki.wndz.2017.04.009
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