碳热还原二氧化硅过程的机理分析

• 作者: 师文静 李明 梁亚红 苏娟 范立峰
• 来源期刊: 冶金工程
• 学科: 化学
• 关键词: 二氧化硅 碳热还原 扩散偶 界面反应
• 年，卷（期）: 2017,（4）
• 页码范围: 244-250
• 页数: 7页
• 分类号: O6

摘要

本文将C(石墨)和SiO2制成扩散偶,在高温下研究了SiO2的还原机理。结果表明,C(石墨)和SiO2的界面反应主要为SiO2 + C(graphite ) = Si + CO,C的气化反应的存在抑制了C(石墨)和SiO2之间的其他反应的发生。Si层厚与时间的反应关系表明,在最初的2 h过程中,线性生长机理占优势,其斜率接近于1,反应为界面反应控制;但是,当生长相厚度超过一个临界值时,生成层以抛物线机理生长,斜率接近于0.5,反应为扩散控制。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李明	内蒙古工业大学材料科学与工程学院	16	21	2.0	4.0
2	苏娟	内蒙古工业大学材料科学与工程学院	12	19	3.0	4.0
3	梁亚红	内蒙古工业大学材料科学与工程学院	15	13	2.0	2.0
4	范立峰	内蒙古工业大学材料科学与工程学院	1	0	0.0	0.0
5	师文静	内蒙古工业大学材料科学与工程学院	1	0	0.0	0.0