850nm垂直腔面发射激光器结构优化与制备

• 作者: 冯源 刘国军 张家斌 晏长岭 李再金 李洋 王宪涛 郝永芹
• 来源期刊: 中国激光
• 学科: 工学
• 关键词: 激光器 垂直腔面发射激光器 量子阱 分布布拉格反射镜 反射率 850nm
• 年，卷（期）: 2017,（3）
• 所属期刊栏目: 激光物理
• 页码范围: 41-48
• 页数: 8页
• 分类号: TN248.4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/CJL201744.0301005

摘要

根据分布布拉格反射镜(DBR)的工作原理,优化量子阱(QW)和DBR结构,采用Crosslight计算机模拟软件模拟了垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)的反射谱和QW 增益谱,确定QW 组分、厚度以及DBR的对数.采用分子束外延技术外延生长并制备了850nm 顶发射VCSEL.测试结果表明,阱宽为5nm 的In0.075Ga0.925As/ Al0.35Ga0.65As QW,在室温下激射波长在840nm左右,设计的顶发射VCSEL结构通过Ocean Optics Spectra Suite软件验证,得到室温下的光谱中心波长在850nm附近,证实了结构设计的正确性.