硒化镉晶片的化学机械抛光

• 作者: 张颖武 徐世海 杨瑞霞 王健 程红娟 高彦昭
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: CdSe晶片 化学机械抛光(CMP) SiO2抛光液 去除速率 表面粗糙度
• 年，卷（期）: 2017,（10）
• 所属期刊栏目: 半导体制造技术
• 页码范围: 769-773
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2017.10.009

摘要

硒化镉(CdSe)的表面加工质量对CdSe基器件的性能至关重要.化学机械抛光(CMP)是一种获得高质量晶体加工表面的常用方法.为改善CdSe晶片的表面加工质量,以SiO2水溶胶配制抛光液,研究了抛光液磨料质量分数、抛光液pH值、氧化剂NaClO的质量分数、抛光盘转速和抛光时间等因素对CdSe晶片抛光去除速率和表面质量的影响,优化了CdSe的CMP工艺参数.结果表明,在优化工艺条件下,CdSe的平均去除速率为320 nm/min,晶片的抛光表面无明显划痕和塌边现象.原子力显微镜(AFM)测量结果表明,抛光后的CdSe晶片表面粗糙度为0.542 nm,可以满足器件制备要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨瑞霞	河北工业大学电子信息工程学院	180	759	13.0	18.0
2	程红娟	中国电子科技集团公司第四十六研究所	44	47	4.0	5.0
3	张颖武	中国电子科技集团公司第四十六研究所	14	16	2.0	3.0
4	王健	中国电子科技集团公司第四十六研究所	38	82	6.0	7.0
5	徐世海	中国电子科技集团公司第四十六研究所	5	5	1.0	1.0
6	高彦昭	河北工业大学电子信息工程学院	3	3	1.0	1.0