SOI基3C-SiC薄膜的光谱表征

• 作者: 杨治美 王飞 马瑶 龚敏
• 来源期刊: 光散射学报
• 学科: 工学
• 关键词: 立方碳化硅 SOI SiCOI 碳化 反向外延
• 年，卷（期）: 2017,（2）
• 所属期刊栏目: 其他光谱技术及应用
• 页码范围: 187-190
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.054
• 字数: 2089字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13883/j.issn1004-5929.201702015

摘要

本文探索在SOI基片上通过顶层Si直接与碳源反应,反向外延生长3C-SiC薄膜的工艺条件和技术.采用LPCVD技术,以CH4和H2混合气体为反应源,在SOI衬底上生长3C-SiC薄膜.采用X射线衍射分析仪、场发射扫描电子显微镜和傅里叶红外光谱来研究样品的结构和性质;并研究反应前、后样品电压-电容特性的变化.研究结果表明,通过反向外延的方法,能够在SOI基片反向外延生长得到3C-SiC薄膜,但目前的工艺条件有待进一步的改善.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王飞	四川大学物理科学与技术学院微电子技术重点实验室	28	53	4.0	7.0
2	龚敏	四川大学物理科学与技术学院微电子技术重点实验室	109	372	10.0	12.0
3	杨治美	四川大学物理科学与技术学院微电子技术重点实验室	11	32	3.0	5.0
4	马瑶	四川大学物理科学与技术学院微电子技术重点实验室	15	31	3.0	5.0