X/Ku波段宽带GaN微波固态功放技术研究

• 作者: 司国梁 吴迪 於昭 葛爱慧
• 来源期刊: 航天电子对抗
• 学科: 工学
• 关键词: 电子对抗领域 微波固态功放 GaN功率器件
• 年，卷（期）: 2017,（2）
• 所属期刊栏目: 工程应用
• 页码范围: 41-44
• 页数: 4页
• 分类号: TN975
• 字数: 3480字
• 语种: 中文

摘要

GaN作为新一代半导体材料具有宽禁带、高击穿场强、高饱和电子漂移速率以及抗辐射能力强等优点成为近几年来的研究热点,随着GaN功率管性能的不断提高,以GaN为基础的微波功率器件的应用取得了很大的进步.根据电子对抗领域微波固态功放的特点,设计一款基于GaN功率器件的X/Ku波段20W宽带固态功放,并给出了测试结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴迪		4	4	1.0	2.0
2	葛爱慧		3	6	2.0	2.0
3	於昭		1	3	1.0	1.0
4	司国梁		1	3	1.0	1.0