碳化硅MOSFET的Matlab/Simulink建模及其温度特性评估

• 作者: 刘航志 周郁明 杨婷婷 王兵
• 来源期刊: 南京航空航天大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅MOSFET 温度特性 界面陷阱
• 年，卷（期）: 2017,（6）
• 页码范围: 851-857
• 页数: 7页
• 分类号: TN386
• 字数: 3574字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16356/j.1005-2615.2017.06.015

摘要

为了更好地评估碳化硅(Silicon carbide,SiC)MOSFET在功率变换装置中的性能,需要建立精确的SiC MOSFET模型.针对传统的SiC MOSFET的建模方法的不足,在Matlab/Simulink环境中提出了一种基于先进迁移率模型的SiC MOSFET模型.利用Matlab/Simulink强大的数学处理能力和丰富的模块功能,该模型考虑了实际SiC/SiO2界面特性的影响.利用SiC MOSFET的产品手册中的实测曲线和所搭建的实验电路的测试结果验证了所建立模型的准确性.基于所建立的模型,研究了SiC/SiO 2非常重要的界面参数——界面陷阱电荷对SiC MOSFET温度特性的影响;从模型和实验上对比了SiC MOSFET与Si MOSFET在开关电路中瞬态温度的变化,结果显示碳化硅功率器件具有非常优秀的温度特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王兵	安徽工业大学电气与信息工程学院	18	16	2.0	3.0
2	周郁明	安徽工业大学电气与信息工程学院	15	19	2.0	3.0
3	刘航志	安徽工业大学电气与信息工程学院	6	10	2.0	3.0
4	杨婷婷	安徽工业大学电气与信息工程学院	4	8	2.0	2.0