浮空场限坏终端结构的仿真分析

• 作者: 关艳霞 潘福泉 范春雨
• 来源期刊: 电源技术应用
• 学科: 工学
• 关键词: 功率器件 浮空场限环 终端结构
• 年，卷（期）: 2017,（5）
• 页码范围: 25-29
• 页数: 5页
• 分类号: TM30

摘要

为了提高功率半导体器件的耐压,常常在其结构终端上设置浮空场限环,而环宽、环间距以 及环数的确定是玚限环设计的难点.本文利用Baliga的理论基础,结合silvaco的仿真分析,给出了 1200V 平面功率半导体器件所需要的浮空场限环的设计参数.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	关艳霞	沈阳工业大学信息科学与工程学院	35	79	5.0	7.0
2	潘福泉	沈阳工业大学信息科学与工程学院	17	7	2.0	2.0
3	范春雨	沈阳工业大学信息科学与工程学院	2	0	0.0	0.0