高真空下合成生长单晶用高纯碳化硅粉料

• 作者: 徐伟 李斌 毛开礼 王英民 马康夫 魏汝省
• 来源期刊: 电子工艺技术
• 学科: 工学
• 关键词: 高真空 碳化硅 粉料
• 年，卷（期）: 2017,（3）
• 所属期刊栏目: 新工艺 新技术
• 页码范围: 164-167
• 页数: 4页
• 分类号: TQ031.2
• 字数: 2970字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14176/j.issn.1001-3474.2017.03.012

摘要

采用自蔓延法合成单晶生长用高纯SiC粉料,特别地,将β-SiC合成过程放在高真空下进行,随后利用所合成的碳化硅粉料进行了碳化硅单晶生长.利用XRD、Raman光谱、SIMS(二次离子质谱仪)和非接触式电阻率测试仪等测试手段对合成粉料的物相、晶型以及碳化硅单晶的纯度和电阻率等参数进行了表征.研究发现,将β-SiC合成过程放在高真空下进行,有助于高纯SiC粉料纯度的提升,特别是N浓度的降低.此外,高真空条件下合成的高纯碳化硅粉料有利于高纯半绝缘碳化硅单晶生长.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李斌	中国电子科技集团公司第二研究所	89	251	10.0	12.0
2	徐伟	中国电子科技集团公司第二研究所	50	146	6.0	9.0
3	王英民	中国电子科技集团公司第二研究所	18	53	5.0	6.0
4	魏汝省	中国电子科技集团公司第二研究所	6	5	2.0	2.0
5	马康夫	中国电子科技集团公司第二研究所	3	8	2.0	2.0
6	毛开礼	中国电子科技集团公司第二研究所	10	34	3.0	5.0