电子回旋共振等离子体中TMG的离解氢对气相沉积氮化镓薄膜的影响

• 作者: 丁罗城 王春安 秦盈星 符斯列
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 物理学
• 关键词: ECR等离子体 氮化镓 三甲基镓 离解氢
• 年，卷（期）: 2017,（4）
• 所属期刊栏目: 功能薄膜
• 页码范围: 409-413
• 页数: 5页
• 分类号: O539
• 字数: 2956字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13922/j.cnki.cjovst.2017.04.11

摘要

氢在GaN薄膜制备工艺中扮演很重要的角色,氢主要有两个来源,一是载气氢,另一个来源是从TMG气源本身离解出来的氢产物.本文研究了电子回旋共振-等离子体增强化学气相沉积(ECR-PECVD)沉积GaN薄膜工艺中从TMG离解出来的氢产物及其对薄膜生长环境的影响.实验分别采用N2和TMG作为N源和Ga源,衬底为(0001)面α-Al2O3.实验的结果表明从TMG中离解出来的氢产物的数量会随着微波功率的增加而增加,特别是当微波功率大于500 W时离解氢的数量增加更明显,但是这种增加还不足以改变PECVD沉积GaN薄膜过程中本来的富镓生长环境.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王春安	广东技术师范学院电子与信息工程学院	12	22	2.0	4.0
2	符斯列	广东省量子调控工程与材料重点实验室华南师范大学物理与电信工程学院	1	1	1.0	1.0
3	丁罗城	广东省量子调控工程与材料重点实验室华南师范大学物理与电信工程学院	1	1	1.0	1.0
4	秦盈星	广东省量子调控工程与材料重点实验室华南师范大学物理与电信工程学院	1	1	1.0	1.0