不同插入层对抑制Mg掺杂p-GaN的记忆效应

• 作者: 孙世闯 张宝顺 李淑萍
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 记忆效应 p-GaN 低温(LT) GaN插入层 AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT) 金属有机化学气相沉积(MOCVD) Mg掺杂
• 年，卷（期）: 2017,（10）
• 所属期刊栏目: 半导体器件
• 页码范围: 732-735,789
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2017.10.003

摘要

研究了低温(LT) GaN和AlN不同插入层对抑制Mg掺杂p-GaN金属有机化学气相沉积外延中存在的记忆效应的影响,外延生长p-GaN缓冲层,制作具有该缓冲层的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT),并对该器件进行电学测试.二次离子质谱仪测试表明p-GaN上10 nm厚的LT-GaN插入层相比于2 nm厚的AlN插入层能更好地抑制Mg扩散.霍尔测试表明,2 nm厚的AlN插入层的引入和GaN存在较大的晶格失配会引入位错,进而会降低AlGaN/GaNHEMT的电子迁移率以及增加其方块电阻;含有10 nm厚的LT-GaN插入层的p-GaN作为缓冲层的AlGaN/GaN HEMT,其方块电阻、电子迁移率以及二维电子气(2DEG)密度分别为334.9 Ω/口,1 923 cm2/(V·s)和9.68×1012 cm-2.器件具有很好的直流特性,其饱和电流为470 mA/mm,峰值跨导为57.7 mS/mm,电流开关比为3.13×109.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李淑萍		26	89	6.0	7.0
2	张宝顺	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	13	29	3.0	5.0
3	孙世闯	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	1	0	0.0	0.0