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摘要:
为探究K掺杂对β-BaCu2S2晶体电子结构和光学性质的影响,采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波理论方法,对不同K掺杂比例β-BaCu2S2的电子结构和光学性质进行理论计算和分析.计算结果表明:β-BaCu2S2是一种直接带隙半导体,带隙值为0.566 eV.由其能带结构可知,随着K掺杂比例的增加,β-BaCu2S2晶体的带隙变窄,导电性增强.此外,随着K掺杂物质的量比例的增加,晶体静态介电常数明显变大,说明此时有电子从价带跃迁到导带.K掺杂可以明显改变晶体的光学性质,随着K掺杂物质的量比例的增加,晶体吸收系数的吸收边发生红移.研究结果说明K掺杂可以改变晶体的电子结构,调制晶体的光学性质,这为β-BaCu2S2光电材料的实际应用提供了一定的理论指导.
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文献信息
篇名 K掺杂β-BaCu2S2电子结构和光学性质的第一性原理研究
来源期刊 天津师范大学学报(自然科学版) 学科 物理学
关键词 第一性原理 K掺杂β-BaCu2S2晶体 能带结构 态密度 介电函数 吸收系数
年,卷(期) 2017,(1) 所属期刊栏目 物理与材料科学
研究方向 页码范围 22-26
页数 5页 分类号 O472+.3
字数 3555字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 赵辉 天津师范大学物理与材料科学学院 33 45 5.0 5.0
2 申洁 天津师范大学物理与材料科学学院 5 2 1.0 1.0
3 邢美静 天津师范大学物理与材料科学学院 5 2 1.0 1.0
4 梁凯 天津师范大学物理与材料科学学院 5 2 1.0 1.0
5 姚倩倩 天津师范大学物理与材料科学学院 5 2 1.0 1.0
6 李实 天津师范大学物理与材料科学学院 5 2 1.0 1.0
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第一性原理
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能带结构
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天津师范大学学报(自然科学版)
双月刊
1671-1114
12-1337/N
大16开
天津市西青区宾水西道393号
1981
chi
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