原位退火温度对Mg2Si薄膜结构及方块电阻的影响

• 作者: 姚紫祎 廖杨芳 肖清泉 谢泉 陈庆 陈茜 马新宇
• 来源期刊: 低温物理学报
• 关键词: 磁控溅射 原位退火 Mg2Si薄膜 退火温度 方块电阻
• 年，卷（期）: 2017,（5）
• 页码范围: 16-20
• 页数: 5页
• 语种: 中文

摘要

采用磁控溅射法和原位退火工艺在钠钙玻璃衬底上制备Mg2 Si半导体薄膜.首先在钠钙玻璃衬底上依次溅射一定厚度的Si、Mg薄膜,冷却至室温后原位退火4h,在400～600℃退火温度下制备出一系列Mg2 Si薄膜样品.采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)对Mg2 Si薄膜样品的晶体结构和表面形貌进行表征,利用四探针测试仪测试薄膜样品的方块电阻,讨论了原位退火温度对Mg2 Si薄膜结构、表面形貌及电学性能的影响.结果表明,采用原位退火方式成功在钠钙玻璃衬底上制备出单一相的Mg2 Si薄膜,退火温度为550℃时,结晶度最好,连续性和致密性最强,方块电阻最小.这对后续Mg2 Si薄膜器件的设计与制备提供了重要的参考.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谢泉		133	486	12.0	17.0
2	陈茜		45	194	9.0	12.0
3	肖清泉		40	199	7.0	13.0
4	马新宇		6	15	2.0	3.0
5	廖杨芳		7	3	1.0	1.0
6	陈庆		11	13	2.0	3.0
7	姚紫祎		1	0	0.0	0.0