S波段GaN微波功率器件的研制?

• 作者: 周泽伦 多新中 王栋
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: GaN 微波功率器件 ADS 超宽带 高效率
• 年，卷（期）: 2017,（1）
• 所属期刊栏目: 固态电子器件及材料
• 页码范围: 27-32
• 页数: 6页
• 分类号: TN957.3
• 字数: 3157字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2017.01.006

摘要

简要介绍了第3代新型半导体材料GaN的特点和优势,基于Agilent ADS微波仿真软件设计并实现了一款工作于S波段基于GaN的高效超宽带微波功率器件。测试结果表明,该器件适用于2.7 GHz~3.5 GHz的超宽带,连续波和脉冲制式均可工作,在饱和状态下,输出功率大于15 W,增益达到13 dB,漏极效率超过45％,并在管壳内部实现了匹配和偏置电路,对GaN MOSFET微波功率器件小型化、超宽带、高增益和高效率的优异性能得以验证和实现。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王栋		20	48	4.0	6.0
2	周泽伦		4	16	3.0	4.0
3	多新中		1	3	1.0	1.0