真空电子功率器件用AlN陶瓷输出窗

• 作者: 何衡平 高陇桥
• 来源期刊: 真空电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化铝陶瓷 次级电子发射 介质损耗
• 年，卷（期）: 2017,（5）
• 所属期刊栏目: 电子陶瓷和封接工艺专辑
• 页码范围: 55-58
• 页数: 4页
• 分类号: TM28
• 字数: 2819字
• 语种: 中文

摘要

本文叙述了陶瓷在功率电子器件输出窗组件中具有特殊地位和作用.当今,氮化铝陶瓷具有高热导率,低的介质损耗和非常低的次级电子发射系数,是一种理想的输出窗片材料.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高陇桥		69	653	15.0	22.0
2	何衡平		4	2	1.0	1.0