一种全MOS型超低功耗基准电压源设计

• 作者: 周勇 沈晓峰 胡云斌 胡刚毅 陈遐迩 顾宇晴
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: 全MOS带隙基准源 超低功耗 低温度系数
• 年，卷（期）: 2017,（2）
• 所属期刊栏目: 电路与系统设计
• 页码范围: 164-167
• 页数: 4页
• 分类号: TN432
• 语种: 中文

摘要

在0.18 μm标准CMOS工艺模型下,利用亚阈值MOS管以及深线性区MOS管的特性,设计了一种全MOS型基准电压源.该基准源不使用电阻,具有超低功耗、低温度系数的特点,并且可在电源电压低于1V的情况下正常工作.当电源电压为1.2V,温度范围为-55℃～125℃,该基准源的温度系数为2.67×10-5/℃,电源抑制比为-45.42 dB@100 Hz,功耗为105.96 nW.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周勇		15	475	6.0	15.0
3	胡刚毅		8	14	3.0	3.0
5	胡云斌		9	21	3.0	3.0
8	顾宇晴		5	7	2.0	2.0
9	陈遐迩		4	6	2.0	2.0
10	沈晓峰		5	22	3.0	4.0