MgO缓冲层对Si衬底上制备Fe3Si薄膜性能的影响

• 作者: 张翀 谢晶 谢泉
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 磁控溅射法 MgO缓冲层 Fe3Si薄膜 晶体结构 电阻率
• 年，卷（期）: 2017,（12）
• 所属期刊栏目: 半导体材料
• 页码范围: 933-937,950
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.055
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2017.12.011

摘要

采用磁控溅射方法和热加工工艺在n型Si衬底上溅射不同厚度的MgO层并制备Fe-Si薄膜层,退火后形成Fe3Si/MgO/Si多层膜结构.利用MgO缓冲层对退火时Si衬底扩散原子进行屏蔽,并分析MgO层对Fe3Si薄膜结构和电学性质的影响.通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和四探针测试仪对Fe3Si薄膜的晶体结构、表面形貌、断面形貌和电阻率进行表征与分析.研究结果表明:当MgO层厚度为20 nm时生成Fe0.9Si0.1薄膜,当厚度为50,100,150和200 nm时都生成了Fe3Si薄膜,生成的Fe3Si和Fe0.9Si0.1薄膜以(110)和(211)取向为主.随MgO缓冲层厚度增加,Si衬底扩散原子对Fe3Si薄膜的影响减小,Fe3 Si薄膜的晶格常数逐渐减小,晶粒大小趋向均匀,平均电阻率呈现先增大后减小趋势.研究结果为后续基于Fe3 Si薄膜的器件设计与制备提供了参考.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谢泉	贵州大学大数据与信息工程学院新型光电子材料与技术研究所	133	486	12.0	17.0
2	谢晶	贵州大学大数据与信息工程学院新型光电子材料与技术研究所	5	0	0.0	0.0
3	张翀	贵州大学大数据与信息工程学院新型光电子材料与技术研究所	3	0	0.0	0.0