单轴应变Si NMOS电流模型研究

• 作者: 王颖
• 来源期刊: 电子测试
• 关键词: 单轴 应变Si 模型
• 年，卷（期）: 2017,（12）
• 所属期刊栏目: 理论与算法
• 页码范围: 54-55,38
• 页数: 3页
• 字数: 1461字
• 语种: 中文

摘要

应变Si技术是目前延续摩尔定理,推动集成电路高速发展的重要技术,本文从单轴应变Si技术提升器件结构出发,基于基本的器件物理方程,建立单轴应变Si器件电流-电压模型,该模型充分考虑了应力等因素对阈值电压和电流的影响,仿真结果表明仿真结果与试验结果一致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王颖	陕西学前师范学院基建处	12	1	1.0	1.0