高压IGBT芯片高温测试温度的阈值电压标定

• 作者: 凌浪波 涂启志
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: IGBT 阈值电压 高温 漏电流
• 年，卷（期）: 2017,（10）
• 所属期刊栏目: 封装、组装与测试
• 页码范围: 13-16
• 页数: 4页
• 分类号: TN407
• 字数: 2212字
• 语种: 中文

摘要

IGBT(Insulate Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极晶体管)已得到广泛应用.为提高封装阶段的成品率,需对芯片的高温漏电特性进行测试.通过对芯片测试参数的分析,提出了可通过对Vgth(阈值电压)的测试、比对,实现对芯片在高温测试条件下实际测试温度的校正.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	涂启志		2	10	1.0	2.0
2	凌浪波		1	1	1.0	1.0