单轴应变对氮化铟电子结构及光学性质的影响

• 作者: 侯清玉 姚世伟 温淑敏 王细军 赵春旺
• 来源期刊: 计算物理
• 学科: 物理学
• 关键词: 氮化铟 应变 电结构 光学性质
• 年，卷（期）: 2017,（6）
• 页码范围: 722-730
• 页数: 9页
• 分类号: O471.5|O472.3
• 字数: 4490字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19596/j.cnki.1001-246x.7557

摘要

采用密度泛函理论框架下的第一性原理平面波赝势方法,计算单轴应变下闪锌矿氮化铟的电子结构及光学性质.结果表明:施加应变会使带隙变窄.对于拉应变,随着应变增大带隙减小程度增大;对于压应变,随应变增大带隙减小程度减弱;且拉、压应变对带隙调控都是线性的.在能量区间4 eV~12 eV范围内施加应变时,氮化铟的吸收光谱发生红移,随拉应变程度增加,吸收光谱的红移进一步加大;随压应变增加,吸收光谱红移减弱;在该范围内,氮化铟的折射率、反射率随拉应变的增大而增加,随压应变增加减小;施加拉应变时能量损失函数峰值增大,施加压应变后能量损失函数峰值减小.通过施加单轴应变能有效调节氮化铟材料的电结构及光学性质.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	侯清玉	内蒙古工业大学理学院物理系	43	191	7.0	9.0
2	赵春旺	内蒙古工业大学理学院物理系	58	247	9.0	12.0
4	温淑敏	内蒙古工业大学理学院物理系	15	33	4.0	5.0
7	姚世伟	内蒙古工业大学理学院物理系	2	2	1.0	1.0