AZ4620光刻胶掩膜的氮化硅图形化工艺

• 作者: 丑修建 何剑 石树正 穆继亮 胡磊 高翔
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 曝光剂量 掩膜 湿法刻蚀 刻蚀速率 喇曼位移
• 年，卷（期）: 2017,（6）
• 所属期刊栏目: 加工、测量与设备
• 页码范围: 426-430
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.6|TN305.7
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2017.06.011

摘要

以薄膜体声波谐振器(FBAR)的背腔刻蚀为研究背景,研究了光刻工艺参数设置与光刻图形转移效果的关系.分析了紫外曝光剂量大小对光刻图形面积和边角曲率的影响,优化得到最佳工艺流程,以AZ4620光刻胶为掩膜实现了氮化硅的湿法刻蚀.实验结果表明,曝光剂量为60 mJ、显影时间60 s时,曝光图形化质量最佳;随着氮化硅刻蚀液温度的升高,湿法刻蚀速率不断增大,温度过高导致光刻胶被破坏而不能起到掩膜作用,60℃时刻蚀速率为109.5 nm/min,得到了边线规整、底部平整的微结构.刻蚀后表面分子喇曼位移为单晶硅的波峰(519.354 cm-1),证实氮化硅被完全去除,为氮化硅作掩膜的单晶硅湿法刻蚀提供了一种有效途径.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	丑修建	中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室	49	225	9.0	13.0
2	穆继亮	中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室	21	66	4.0	8.0
3	石树正	河北建筑工程学院机械工程学院	25	29	2.0	4.0
4	何剑	中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室	21	25	3.0	3.0
5	高翔	中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室	4	5	2.0	2.0
6	胡磊	中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室	4	10	2.0	3.0