栅侧壁隔离层对45nm NOR闪存栅极干扰的影响

• 作者: 仇圣棻 胡建强
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 栅极干扰 侧壁隔离层 自对准接触 或非闪存器件 复合介质层
• 年，卷（期）: 2017,（12）
• 所属期刊栏目: 半导体制造技术
• 页码范围: 929-932,955
• 页数: 5页
• 分类号: TN405.95
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2017.12.010

摘要

为了研究侧壁隔离层对闪存器件可靠性的影响,分别制备了Si3N4和SiO2-Si3N4-SiO2-Si3N4 (ONON)复合层作为栅侧壁隔离层的45 nm或非闪存(NOR flash)器件,对编程后、循环擦写后的闪存器进行栅极干扰的测试,讨论了不同栅侧壁隔离层对栅极干扰的影响.结果表明,虽然纯氧化硅隔离层可减少NOR自对准接触孔(SAC)刻蚀时对侧壁隔离层的损伤,但其在栅极干扰时在氧化物-氮化物-氧化物(ONO)处有更高的电场,从而在栅干扰后阈值电压变化较大,且由于在擦写操作过程中会陷入电荷,这些电荷在大的栅极电压和长时间的栅干扰作用下均会对闪存器的可靠性产生负面的影响.ONON隔离层的闪存器无可靠性失效.因此以ONON作为侧壁隔离层比以纯氮化硅作为侧壁隔离层的闪存器件具有更好的栅干扰性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡建强		1	0	0.0	0.0
2	仇圣棻		1	0	0.0	0.0