Si肖特基二极管直流及高频建模?

• 作者: 刘江宜 唐杨 王丁 王燕
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 肖特基二极管 直流及高频特性 分段提参 寄生效应
• 年，卷（期）: 2017,（1）
• 所属期刊栏目: 固态电子器件及材料
• 页码范围: 6-10
• 页数: 5页
• 分类号: TN311+.8
• 字数: 2848字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2017.01.002

摘要

采用分段提参的方法，针对SMIC 130 nm CMOS工艺下CoSi2-Si肖特基二极管的直流及高频特性建立统一模型。直流时除了热发射效应，也考虑了势垒不均匀效应、大注入效应及隧穿效应的影响。高频时，在直流特性基础上特别考虑了衬底以及金属寄生效应的影响。该模型直流拟合误差为1.26％，高频时在整个测试频段(1 GHz~67 GHz)内电阻、电容拟合误差分别为3.16％和2.25％。据我们所知，这是首次针对CoSi2-Si肖特基二极管建立完整模型，考虑直流及高频特性并给出了相应的提参步骤。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王燕	清华大学微纳电子系	55	351	8.0	17.0
2	唐杨	清华大学微纳电子系	3	3	1.0	1.0
3	刘江宜	清华大学微纳电子系	1	0	0.0	0.0
4	王丁	清华大学微纳电子系	1	0	0.0	0.0