磁场作用下平行平板内导电流体的流动稳定性

• 作者: 刘立帅 叶学民 董帅
• 来源期刊: 系统仿真学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 导电平板 哈特曼边界层 稳定性 非正则模态 数值模拟 流动
• 年，卷（期）: 2017,（8）
• 所属期刊栏目: 仿真应用工程
• 页码范围: 1762-1771
• 页数: 10页
• 分类号: O361.5
• 语种: 中文
• DOI: 10.16182/j.issn1004731x.joss.201708016

摘要

采用非正则模态稳定性分析方法,对法向磁场作用下导电流体在导电平行平板内的流动稳定性进行了数值模拟,分析了磁场对流动稳定性的影响.结果表明,哈特曼数Ha较大时(Ha＞9),上、下两个哈特曼边界层基本上各自独立,互不影响;哈特曼数Ha较小时(Ha＜9),上、下两个哈特曼边界层距离较近,存在着一定的相互作用,并影响着整个流场的稳定性.平板导电时的扰动增长特征与平板绝缘情形下基本类似;但在平板导电条件下,磁场对扰动的抑制效果更明显.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	叶学民	华北电力大学能源动力与机械工程学院	193	1988	21.0	37.0
2	董帅	华北电力大学能源动力与机械工程学院	13	29	3.0	5.0
3	刘立帅	华北电力大学能源动力与机械工程学院	3	4	2.0	2.0