全压接式高压四端双向晶闸管器件研制

• 作者: 唐革 操国宏 朱为为 颜骥
• 来源期刊: 大功率变流技术
• 学科: 工学
• 关键词: 双向晶闸管 反并联组件 芯片结构 封装结构 抗干扰
• 年，卷（期）: 2017,（6）
• 所属期刊栏目: 电力电子器件
• 页码范围: 42-47
• 页数: 6页
• 分类号: TN34
• 语种: 中文
• DOI: 10.13889/j.issn.2095-3631.2017.06.009

摘要

普通晶闸管反并联结构广泛应用于高压软启动装置、电气驱动装置和静态无功功率补偿装置中,但对体积和重量要求较高的应用场合并不适用.文章针对晶闸管反并联应用需求,依托TCAD半导体芯片设计仿真平台,对双向晶闸管芯片结构和器件封装结构开展仿真分析,通过提高短基区浓度、优化设计短路点并采用PNP横向隔离结构,提升了芯片抗干扰能力,成功研制出全压接式高压四端双向晶闸管,简化了反并联组件结构,降低了组件的体积、重量和成本.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	唐革		1	0	0.0	0.0
2	颜骥		3	0	0.0	0.0
3	操国宏		4	0	0.0	0.0
4	朱为为		2	0	0.0	0.0