栅氧化方式对NMOS器件总剂量电离效应的影响

• 作者: 刘佰清 刘国柱 吴健伟 洪根深 郑若成
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 栅氧化 总剂量电离效应 阈值电压漂移△Vtn
• 年，卷（期）: 2017,（11）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性
• 页码范围: 44-48
• 页数: 5页
• 分类号: TN306
• 字数: 2584字
• 语种: 中文

摘要

基于抗辐射0.6 μm CMOS工艺,对5 V/20 V&LV/HV NMOS器件进行了总剂量加固结构设计,并采用叠栅氧工艺成功制备了抗总剂量能力≥500 krad(Si)高低压兼容的NMOS器件.重点研究了不同的栅氧化工艺对NMOS器件总剂量辐射电离效应的影响作用.研究发现,在抗总剂量电离能力方面,湿法氧化工艺优于干法氧化工艺:即当栅氧厚度小于12.5 nm时,LVNMOS器件因总剂量电离效应引起的阈值电压漂移△Vtn受栅氧化方式的影响甚小;当栅氧厚度为26 nm时,HVNMOS器件因总剂量电离效应引起的阈值电压漂移△Vtn受栅氧化方式及工艺温度的影响显著.在500 krad(Si)条件下,采用850℃湿氧+900℃干氧化方式的HVNMOS器件阈值电压漂移△Vtn比采用800℃湿氧氧化方式的高2倍左右.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	洪根深	中国电子科技集团公司第五十八研究所	33	74	5.0	6.0
2	郑若成	中国电子科技集团公司第五十八研究所	20	44	4.0	5.0
3	刘国柱	中国电子科技集团公司第五十八研究所	15	32	4.0	4.0
4	刘佰清	中国电子科技集团公司第五十八研究所	2	3	1.0	1.0
5	吴健伟	中国电子科技集团公司第五十八研究所	1	3	1.0	1.0