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摘要:
针对量子点发光二极管(QLED)中载流子注入不平衡的问题,对空穴和电子在量子点层的注入速率进行了研究。制备了不同电子传输层厚度、结构为 ITO/ PEDOT∶ PSS/ Poly-TPD/ QDs/ Alq3/ Al 的 QLED 样品。Alq3厚度由25 nm 逐步递增至45 nm 时,器件的开启电压升高,器件均发出量子点的红光。当 Alq3厚度为30 nm 时,器件的电流效率最高。此时,空穴和电子在量子点层的注入速率达到相对平衡。为进一步研究器件的发光特性,在 QDs 和 Alq3接触界面嵌入电子阻塞层 TPD。研究发现,当 TPD 的厚度为1 nm 时,器件发出红光;当 TPD 厚度为3 nm 和5 nm 时,器件开始出现绿光。实验结果表明,在选取电子阻塞层时,应选择 LUMO较低的材料且阻塞层的厚度必须很薄。
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文献信息
篇名 电子传输层厚度及阻塞层对量子点发光二极管性能的影响
来源期刊 发光学报 学科 工学
关键词 量子点发光二极管 厚度 能级 电流密度 亮度 电流效率
年,卷(期) 2017,(1) 所属期刊栏目 ?器件制备及器件物理?
研究方向 页码范围 85-90
页数 6页 分类号 TN383+.1
字数 3266字 语种 中文
DOI 10.3788/fgxb20173801.0085
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 李邓化 北京交通大学电子信息工程学院 59 259 10.0 12.0
3 陈雯柏 北京信息科技大学自动化学院 59 214 9.0 12.0
4 叶继兴 北京信息科技大学自动化学院 8 12 2.0 3.0
7 马航 北京交通大学电子信息工程学院 4 12 2.0 3.0
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量子点发光二极管
厚度
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电流效率
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月刊
1000-7032
22-1116/O4
大16开
长春市东南湖大路16号
12-312
1970
chi
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