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电子传输层厚度及阻塞层对量子点发光二极管性能的影响
电子传输层厚度及阻塞层对量子点发光二极管性能的影响
作者:
叶继兴
李邓化
陈雯柏
马航
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
量子点发光二极管
厚度
能级
电流密度
亮度
电流效率
摘要:
针对量子点发光二极管(QLED)中载流子注入不平衡的问题,对空穴和电子在量子点层的注入速率进行了研究。制备了不同电子传输层厚度、结构为 ITO/ PEDOT∶ PSS/ Poly-TPD/ QDs/ Alq3/ Al 的 QLED 样品。Alq3厚度由25 nm 逐步递增至45 nm 时,器件的开启电压升高,器件均发出量子点的红光。当 Alq3厚度为30 nm 时,器件的电流效率最高。此时,空穴和电子在量子点层的注入速率达到相对平衡。为进一步研究器件的发光特性,在 QDs 和 Alq3接触界面嵌入电子阻塞层 TPD。研究发现,当 TPD 的厚度为1 nm 时,器件发出红光;当 TPD 厚度为3 nm 和5 nm 时,器件开始出现绿光。实验结果表明,在选取电子阻塞层时,应选择 LUMO较低的材料且阻塞层的厚度必须很薄。
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文献信息
篇名
电子传输层厚度及阻塞层对量子点发光二极管性能的影响
来源期刊
发光学报
学科
工学
关键词
量子点发光二极管
厚度
能级
电流密度
亮度
电流效率
年,卷(期)
2017,(1)
所属期刊栏目
?器件制备及器件物理?
研究方向
页码范围
85-90
页数
6页
分类号
TN383+.1
字数
3266字
语种
中文
DOI
10.3788/fgxb20173801.0085
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
李邓化
北京交通大学电子信息工程学院
59
259
10.0
12.0
3
陈雯柏
北京信息科技大学自动化学院
59
214
9.0
12.0
4
叶继兴
北京信息科技大学自动化学院
8
12
2.0
3.0
7
马航
北京交通大学电子信息工程学院
4
12
2.0
3.0
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二级引证文献(0)
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引证文献(1)
二级引证文献(0)
2018(1)
引证文献(1)
二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
量子点发光二极管
厚度
能级
电流密度
亮度
电流效率
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
发光学报
主办单位:
中国物理学会发光分会
中科院长春光机所
出版周期:
月刊
ISSN:
1000-7032
CN:
22-1116/O4
开本:
大16开
出版地:
长春市东南湖大路16号
邮发代号:
12-312
创刊时间:
1970
语种:
chi
出版文献量(篇)
4336
总下载数(次)
7
总被引数(次)
29396
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