MOS栅氧的界面特性和辐照特性研究

• 作者: 孙博韬 宋李梅 李彬鸿 杨尊松 王立新 罗小梦 肖超 陆江
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: Si-SiO2界面 电导法 界面特性 辐照特性
• 年，卷（期）: 2017,（2）
• 所属期刊栏目: 半导体器件与工艺
• 页码范围: 250-253
• 页数: 4页
• 分类号: TN432
• 语种: 中文

摘要

通过交流电导法,对经过不同时间N2O快速热处理(RTP)的MOS电容进行界面特性和辐照特性研究.通过电导电压曲线,分析N2O RTP对Si-SiO2界面陷阱电荷和氧化物陷阱电荷造成的影响.结论表明,MOS电容的Si-SiO2界面陷阱密度随N2O快速热处理时间先增加再降低;零偏压总剂量辐照使氧化层陷阱电荷显著增加,而Si-SiO2界面陷阱电荷轻微减少.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宋李梅	中国科学院微电子研究所	18	56	5.0	5.0
2	王立新	中国科学院硅器件技术重点实验室	97	1160	17.0	30.0
3	李彬鸿		8	18	2.0	4.0
4	陆江	中国科学院微电子研究所	12	42	4.0	6.0
5	罗小梦	中国科学院硅器件技术重点实验室	3	4	1.0	2.0
6	杨尊松	中国科学院微电子研究所	4	16	2.0	4.0
7	肖超		5	37	4.0	5.0
8	孙博韬	中国科学院微电子研究所	1	4	1.0	1.0