硅腔体MEMS环行器的设计与制作

• 作者: 李倩 杨志 杨拥军 汪蔚
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 微电子机械系统(MEMS) 基片集成波导(SIW) 硅通孔(TSV)技术 环行器 硅腔体 低损耗
• 年，卷（期）: 2017,（6）
• 所属期刊栏目: MEMS与传感器
• 页码范围: 408-412,430
• 页数: 6页
• 分类号: TH703
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2017.06.008

摘要

设计制作了一种基于MEMS工艺的硅腔体环行器.该环行器以高阻硅为衬底材料,基于基片集成波导(SIW)技术的传输理论,采用体硅MEMS工艺和低损耗金属化技术实现了硅通孔及通孔金属化的制备.设计并仿真优化了硅腔体MEMS环行器结构,给出了一套硅腔体MEMS环行器制备的工艺流程,针对该工艺流程方案进行了关键参数的工艺误差仿真.实现了中心频率为13GHzMEMS环行器的工艺制作和性能测试,频带内插损小于0.5 dB,电压驻波比(VSWR)小于1.25,隔离度大于20 dB,环行器尺寸仅为11.0 mm×11.0 mm×2.5 mm,远小于对应的波导腔体环行器.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨拥军	中国电子科技集团公司第十三研究所	44	220	7.0	13.0
2	杨志		9	50	4.0	7.0
3	李倩		3	10	1.0	3.0
4	汪蔚	中国电子科技集团公司第十三研究所	4	6	1.0	2.0