大功率IGBT模块用氮化铝DBC基板技术研究

• 作者: 崔嵩 张振文 詹俊 许海仙
• 来源期刊: 真空电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化铝DBC 过渡层 剥离强度 孔洞
• 年，卷（期）: 2017,（5）
• 所属期刊栏目: 电子陶瓷和封接工艺专辑
• 页码范围: 33-38
• 页数: 6页
• 分类号: TN304
• 字数: 3340字
• 语种: 中文

摘要

IGBT模块随着功率的不断增大,对DBC基板的导热性能提出了更高的要求,常规的氧化铝DBC已经不能满足导热要求,氧化铍由于加工过程有毒限制其推广应用,氮化铝DBC基板成为环保、高效、满足散热的新一代DBC基板.而铜氧化物对氮化铝难以润湿成为氮化铝DBC制备过程的首要难题,铜片与氮化铝键合界面的孔洞严重影响DBC基板的可靠性,本论文主要阐述高可靠氮化铝DBC基板的制造方案,采用化学方法对氮化铝基板表面进行处理,再采用高温氧化技术处理氮化铝陶瓷,形成致密、均匀的氧化层;高质量的氧化层对铜的氧化物提供良好的润湿性能,是制备高可靠氮化铝DBC基板的前提,优化保温温度、时间、氧浓度等条件控制氧化层的厚度,最终得到剥离强度高、孔洞率低的氮化铝DBC基板.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	崔嵩	中国电子科技集团公司第四十三研究所	14	19	2.0	4.0
2	许海仙	中国电子科技集团公司第四十三研究所	4	3	1.0	1.0
3	张振文	中国电子科技集团公司第四十三研究所	2	2	1.0	1.0
4	詹俊	中国电子科技集团公司第四十三研究所	1	2	1.0	1.0