新型GLSI弱碱性铜抛光液稳定性研究

• 作者: 刘玉岭 牛新环 王辰伟 腰彩红 赵欣
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 稳定性 弱碱性 铜抛光液 四乙基氢氧化铵(TEAH) pH值
• 年，卷（期）: 2017,（12）
• 所属期刊栏目: 半导体制造技术
• 页码范围: 913-917
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2017.12.007

摘要

随着极大规模集成电路(GLSI)技术节点逐渐降低至28 nm,多层铜布线化学机械抛光过程中弱碱性抛光液的稳定性成为人们研究的热点.以四乙基氢氧化铵作为pH调节剂,配制不同pH值的新型弱碱性抛光液,研究各组抛光液的pH值、粒径、Zeta电位以及铜去除速率、表面粗糙度和去除速率一致性随存放时间(0,12,24,36和48 h)的变化,并与KOH作为pH调节剂的抛光液进行了对比.结果表明,pH值、粒径、Zeta电位在存放时间内基本不变.pH值大于10时平坦化效果较差,pH值为9.0时,平坦化效果较好,0和48 h铜去除速率为530 nm/min和493.1 nm/min,抛光后铜表面粗糙度为0.718和0.855 nm,铜去除速率一致性为4.31％和4.54％,该抛光液加入双氧水后可以稳定存放48 h以上,可满足工业生产的要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘玉岭	河北工业大学电子信息工程学院	263	1540	17.0	22.0
2	赵欣	河北工业大学电子信息工程学院	35	153	6.0	11.0
4	牛新环	河北工业大学电子信息工程学院	69	406	10.0	17.0
6	王辰伟	河北工业大学电子信息工程学院	80	287	8.0	10.0
12	腰彩红	河北工业大学电子信息工程学院	4	5	2.0	2.0