寄生电感对SiC MOSFET开关特性的影响

• 作者: 付大丰 徐克峰 戴卫力 朱梓悦 王丹 秦海鸿
• 来源期刊: 南京航空航天大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 电力电子 碳化硅 寄生电感 匹配关系 布局设计
• 年，卷（期）: 2017,（4）
• 页码范围: 531-539
• 页数: 9页
• 分类号: TM315
• 字数: 5447字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16356/j.1005-2615.2017.04.012

摘要

随着开关频率的增大,寄生电感对碳化硅(SiC)器件动态开关过程的影响程度也越来越大,无法充分发挥其高速开关下低开关损耗的性能优势.本文采用理论定性分析与实验定量研究相结合的方法,考虑相关寄生电感,对SiC MOSFET基本开关电路建立数学模型,确立影响开关特性的主要因素,然后通过SiC器件高速电路双脉冲测试平台,对各部分寄生电感对SiC器件开关性能的影响进行系统研究,揭示寄生电感对SiC MOSFET开关特性的影响规律.在此基础之上,根据SiC高速开关电路实际布局的限制,在布局紧凑程度或回路走线总长度相对不变的情况下,对各部分寄生电感的匹配关系进行研究,归纳出SiC器件开关过程受寄生参数影响的特性规律,从而指导SiC基高速开关电路的优化布局设计.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	戴卫力	河海大学江苏省输配电装备技术重点实验室	11	90	4.0	9.0
2	付大丰	南京航空航天大学多电飞机电气系统工业和信息化部重点实验室	13	153	7.0	12.0
3	秦海鸿	南京航空航天大学多电飞机电气系统工业和信息化部重点实验室	99	729	14.0	23.0
4	王丹	南京航空航天大学多电飞机电气系统工业和信息化部重点实验室	15	74	5.0	8.0
5	朱梓悦	南京航空航天大学多电飞机电气系统工业和信息化部重点实验室	10	87	5.0	9.0
6	徐克峰	南京航空航天大学多电飞机电气系统工业和信息化部重点实验室	2	18	2.0	2.0