11～12GHz单电源GaN微波功率放大模块研制

• 作者: 唐世军 嵇妮娅 汤茗凯
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化镓 高电子迁移率晶体管 功率放大模块
• 年，卷（期）: 2017,（11）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性
• 页码范围: 36-38
• 页数: 3页
• 分类号: TN722.7+5
• 字数: 1656字
• 语种: 中文

摘要

报告了采用凹槽栅场板结构的GaN微波功率HEMT管芯,优化了场板结构和工艺参数,制作了0.8 mm和2.4 mm栅宽的管芯.采用该管芯制作了两级放大的功率模块,该模块匹配电路制作在380 μm厚的Al2O3陶瓷基片上,匹配电容制作在180 μm厚的高介电常数的陶瓷基片上.电感采用25μm直径的金丝拟合,电路结构采用单电源结构.该模块在11～12 GHz、28V工作电压下,饱和输出功率达到了8W,功率增益为12dB,功率附加效率(PAE)为30％,实现了低电流、高效、高可靠性、可实用的功率模块.该模块是迄今为止采用单电源结构频率最高的GaN功率模块.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	唐世军		3	3	1.0	1.0
2	汤茗凯		2	2	1.0	1.0
3	嵇妮娅		1	1	1.0	1.0