含氢硅油制备SiC晶须的研究

• 作者: 乔宁 张文婷 李欣 王瑶 陈旸
• 来源期刊: 材料工程
• 关键词: SiC晶须 热处理温度 基体表面状态 生长机理
• 年，卷（期）: 2017,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 59-64
• 页数: 6页
• 分类号: TB33
• 语种: 中文
• DOI: 10.11868/j.issn.1001-4381.2016.001112

摘要

以高含氢硅油为原料,在石墨基体上生长出SiC晶须.主要研究石墨基体的表面状态和加热温度对SiC晶须生长的影响,探究SiC晶须形成过程.影响SiC晶须形核和生长的主要因素为热处理温度,随着热处理温度的升高,SiC晶须的结晶产量也相应增高.石墨基体的表面状态对SiC晶须的形成也有一定的影响,随着石墨基体缺陷提供形核点的增多,SiC晶须的结晶产量提高,并且出现相互搭接的现象.SiC晶须的形成过程分为形核和生长两个部分,低温形核,高温生长,遵循VLS(气-液-固)生长机理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李欣	华北理工大学建筑工程学院	31	35	4.0	5.0
2	王瑶	华北理工大学材料科学与工程学院	3	10	1.0	3.0
4	乔宁	华北理工大学材料科学与工程学院	6	7	2.0	2.0
6	陈旸	华北理工大学材料科学与工程学院	10	15	3.0	3.0
8	张文婷	华北理工大学材料科学与工程学院	2	1	1.0	1.0