FPGA上电复位过程的存储单元读写检测方法

• 作者: 张胜广 徐玉婷 耿杨 谢杰
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: FPGA SRAM 寄存器上电复位
• 年，卷（期）: 2017,（11）
• 所属期刊栏目: 电路设计
• 页码范围: 33-35
• 页数: 3页
• 分类号: TN402
• 字数: 1075字
• 语种: 中文

摘要

基于FPGA技术,提出了一种关于FPGA上电复位过程的存储单元读写检测方法.该方法能够在FPGA上电复位的过程中较早地检测出芯片中心的控制电路和若干级buffer的驱动能力是否足以控制所有存储单元的读写.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐玉婷		4	2	1.0	1.0
2	耿杨		3	3	1.0	1.0
3	谢杰	中国电子科技集团公司第五十八研究所	3	13	2.0	3.0
4	张胜广	中国电子科技集团公司第五十八研究所	1	0	0.0	0.0