半导体器件用陶瓷基片材料发展现状

• 作者: 张伟儒 李正 童亚琦 郑彧 高崇
• 来源期刊: 真空电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体 陶瓷绝缘基板 氮化硅陶瓷 热导率
• 年，卷（期）: 2017,（5）
• 所属期刊栏目: 电子陶瓷和封接工艺专辑
• 页码范围: 20-23
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 3006字
• 语种: 中文

摘要

陶瓷材料具有优异的力学强度,并具有高熔点、高硬度、高耐磨性、耐氧化等优点,是半导体器件,特别是大功率半导体器件绝缘基片的重要材料.随着半导体器件向大功率化、高频化的不断发展,对陶瓷绝缘基片的导热性和力学性能都提出了更高的要求.本文在半导体器件对基片材料性能要求的基础上,介绍了目前常用的氧化铍、氧化铝和氮化铝的性能及应用前景.阐述了新型陶瓷基板材料氮化硅陶瓷的物理力学性能,并与氧化铝和氮化铝的性能进行了比较,分析了氮化硅陶瓷基片在半导体器件上的应用优势,并对其未来前景进行了展望.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑彧		8	26	3.0	5.0
2	童亚琦		5	19	2.0	4.0
3	张伟儒		12	99	7.0	9.0
4	李正		1	9	1.0	1.0
5	高崇		2	11	2.0	2.0