质子辐照对130nm部分耗尽SOI MOS器件栅氧经时击穿可靠性的影响

• 作者: 余学峰 崔江维 梁晓雯 赵京昊 郑齐文 郭旗 马腾 魏莹
• 来源期刊: 现代应用物理
• 学科: 工学
• 关键词: 辐射诱导泄漏电流 栅氧经时击穿 可靠性 质子辐照 部分耗尽SOI
• 年，卷（期）: 2017,（4）
• 所属期刊栏目: 辐射效应及加固技术
• 页码范围: 48-51
• 页数: 4页
• 分类号: TN30
• 字数: 2073字
• 语种: 中文
• DOI: 10.12061/j.issn.2095-6223.2017.040606

摘要

利用10 MeV质子对130 nm部分耗尽SOI MOS器件进行辐照,测试了在不同辐照吸收剂量下,器件的辐射诱导泄漏电流和栅氧经时击穿寿命等参数,分析了质子辐照对器件TDDB可靠性的影响.结果表明:质子辐照器件时,在Si-SiO2界面产生的界面陷阱电荷,增加了电子跃迁的势垒高度,减少了电荷向栅极的注入,减小了器件的RILC,增加了器件的TDDB寿命.