温度对n-ZnO/p-diamond薄膜异质结器件制备和电学性质的影响

• 作者: 吴成泽 成绍恒 李红东 汪剑波 王丽莹 王启亮
• 来源期刊: 超硬材料工程
• 学科: 工学
• 关键词: 氧化锌薄膜 硼掺杂金刚石 异质结 电学性质 高温处理
• 年，卷（期）: 2017,（1）
• 所属期刊栏目: 研究和应用
• 页码范围: 1-6
• 页数: 6页
• 分类号: TQ164
• 字数: 3299字
• 语种: 中文

摘要

采用反应磁控溅射法在p型硼掺杂金刚石(BDD)薄膜衬底上制备了非有意掺杂n型氧化锌(ZnO)薄膜.利用XRD、SEM、I-V特性曲线对n-ZnO/p-BDD薄膜复合结构进行表征分析.n-ZnO多晶膜沉积在p-BDD膜上形成了具有良好整流特性的异质结.在空气中对异质结进行退火处理,研究了退火(400 ℃,700 ℃)对异质结性质的影响.实验表明,较高退火温度处理,可获得多取向的ZnO膜,晶粒尺寸增大,n-ZnO/p-BDD异质结开启电压减小.不同温度下的电学性质测量结果证明该异质结适合在高温环境下工作.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	汪剑波	长春理工大学理学院	24	81	6.0	8.0
2	李红东	吉林大学超硬材料国家重点实验室	10	36	3.0	6.0
3	王启亮	吉林大学超硬材料国家重点实验室	2	17	1.0	2.0
4	成绍恒	吉林大学超硬材料国家重点实验室	3	19	2.0	3.0
5	吴成泽	长春理工大学理学院	2	1	1.0	1.0
9	王丽莹	吉林大学超硬材料国家重点实验室	1	0	0.0	0.0