基于SiGe BiCMOS工艺的25Gbit/s跨阻放大器设计

• 作者: 何进 常胜 王豪 薛喆 许仕龙 陈婷 黄启俊
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 跨阻放大器 25Gbit/s 伪差分输入 电容简并 SiGe双极CMOS(BiCMOS)
• 年，卷（期）: 2017,（12）
• 所属期刊栏目: 半导体集成电路
• 页码范围: 892-895,917
• 页数: 5页
• 分类号: TN433|TN722.71
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2017.01.003

摘要

采用0.25 μm SiGe双极CMOS (BiCMOS)工艺设计并实现了一种传输速率为25 Gbit/s的高速跨阻前置放大器(TIA).在寄生电容为65fF的情况下,电路分为主放大器模块、两级差分模块和输出缓冲模块.相比传统的跨阻放大器,TIA采用Dummy形式实现了一种伪差分的输入,减小了共模噪声,提高了电路的稳定性;在差分级加入了电容简并技术,有效地提高了跨阻放大器的带宽;在各级之间引入了射极跟随器,减小了前后级之间的影响,改善了电路的频域特性.电路整体采用了差分结构,抑制了电源噪声和衬底噪声.仿真结果表明跨阻放大器的增益为63.6 dBQ,带宽可达20.4 GHz,灵敏度为-18.2 dBm,最大输出电压为260 mV,功耗为82 mW.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王豪	武汉大学物理科学与技术学院	69	158	6.0	8.0
2	常胜	武汉大学物理科学与技术学院	92	343	9.0	13.0
3	黄启俊	武汉大学物理科学与技术学院	128	515	11.0	15.0
4	陈婷	武汉大学物理科学与技术学院	44	162	6.0	11.0
5	何进	武汉大学物理科学与技术学院	34	70	5.0	7.0
6	许仕龙	中国电子科技集团公司第五十四研究所	8	26	3.0	5.0
7	薛喆	武汉大学物理科学与技术学院	3	4	1.0	1.0