SiC MOSFET驱动电路设计与实验分析

• 作者: 崔志行 梁永生 胡冬青 邹世凯 黄仁发
• 来源期刊: 电气传动
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅MOSFET 驱动电路 过载保护电路 Pspice仿真软件 双脉冲实验
• 年，卷（期）: 2017,（9）
• 所属期刊栏目: 控制
• 页码范围: 59-63
• 页数: 5页
• 分类号: TM13
• 字数: 2600字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19457/j.1001-2095.20170912

摘要

为使SiC MOSFET在应用中安全可靠的工作,通过对SiC MOSFET开关特性的分析,设计了一种SiC MOSFET驱动电路.该电路具有结构简单、实用性强、速度快、输出功率大等特点.另外,在高功率、高频等特殊环境下工作,为了提高SiC MOSFET的可靠性,还对器件过载保护电路进行研究.通过Pspice软件仿真实验,发现过载保护电路可以有效地保护器件不受损坏.最后,搭建双脉冲实验平台,验证驱动电路的基本功能并测试采用不同栅极电阻时对SiC MOSFET开关特性的影响.实验结果表明:该电路具有良好的驱动能力.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡冬青	北京工业大学电子信息与控制工程学院	27	114	7.0	9.0
2	邹世凯	北京工业大学电子信息与控制工程学院	2	11	1.0	2.0
3	黄仁发	北京工业大学电子信息与控制工程学院	2	11	1.0	2.0
4	崔志行	北京工业大学电子信息与控制工程学院	1	11	1.0	1.0
5	梁永生	北京工业大学电子信息与控制工程学院	2	12	1.0	2.0